Samsung 990 PRO 4 To - SSD M.2 NVMe PCIe 4.0

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"Une vitesse explosive, des performances améliorées !"

Plus rapide encore que ses prédécesseurs, découvrez le SSD Samsung 990 Pro s'appuyant sur les performances de la technologie PCIe 4.0, profitant de vitesses fulgurantes et d'une régulation thermique intelligente pour une efficacité optimale. Il maximalise le potentiel de la bande passante NVMe pour des performances inégalables et une vitesse explosive pour un gaming de qualité.


Performances améliorées

Le 990 PRO atteint des vitesses de lecture / écriture séquentielles allant jusqu'à 7450 Mo/s / 6900 Mo/s, soit jusqu'à 40 % et 55 % plus rapides par rapport au 980 PRO. Il profite d'une faible consommation énergétique grâce à des performances améliorées de plus de 50 % par watt par rapport au modèle précédent, associé à un système de régulation de température intelligent.
Le contrôleur du SSD est revêtu de nickel et les puces V-NAND et DRAM sont associées à un dissipateur de chaleur pour une résistance optimale aux hausses de températures. En combinaison avec la technologie Dynamic Thermal Guard régulant les hausses de températures, Samsung 990 Pro vous permet de profiter de ses performances, même avec des vitesses croissantes.





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Caractéristiques
Informations générales Constructeur Samsung
Référence MacWay MK00573115
Modèle MZ-V9P4T0BW
Algorithmes de sécurité AES 256 bits
Sécurité et protection Chiffrement des données
Capacité Capacité 4 To
Performances Lecture aléatoire (4 Ko) 1400000 IOPS
Écriture aléatoire (4 Ko) 1550000 IOPS
Débit max lecture 7450 Mo/s
Débit max écriture 6900 Mo/s
Conception Type de disque SSD
Format Format M.2 NVMe PCIe
Poids et dimensions Largeur 80 mm
Hauteur 22 mm
Longueur 2,30 mm
Poids net 0,1 kg
Interfaces Interface disque interne PCI Express 4.0
Vitesse Interface NVMe
Version NVMe NVMe 2.0
Garanties Garantie Légale Voir les modalités
Informations détaillées
Caractéristiques générales

• Capacité : 4 To
• Format : M.2 (2280)
• Interface : PCIe Gen 4.0 x 4, NVMe 2.0
• Type de mémoire flash : Samsung V-NAND 3-bit MLC
• Contrôleur : Samsung in-house Controller

• Mémoire cache : 1 Go Low Power DDR4 SDRAM
• Dimensions : 80 x 22 x 2,3 mm
• Poids : 9 g

Caractéristiques spécifiques

• Prise en charge TRIM
• Prise en charge S.M.A.R.T
• MTBF (temps moyen entre deux pannes) : 1,5 millions d'heures
• Système de cryptage : AES 256 bits (classe 0)TCG/Opal IEEE1667 (disque chiffré)
• Auto Garbage Collection (via algorithme) : système de nettoyage des cellules en période d'inactivité du SSD, permet de maintenir les performances

Performances

• Lecture séquentielle : jusqu'à 7450 Mo/s
• Écriture séquentielle : jusqu'à 6900 Mo/s
• Lecture aléatoire (4KB, QD32) : jusqu'à 1 400 000 IOPS
• Écriture aléatoire (4KB, QD32) : jusqu'à 1 550 000 IOPS
• Lecture aléatoire (4KB, QD1) : jusqu'à 22 000 IOPS
• Écriture aléatoire (4KB, QD1) : jusqu'à 80 000 IOPS

Les performances peuvent varier selon le matériel et le système de configuration

Environnement

• Consommation d'énergie : 5,4 W (moyenne), 7,8 W (mode rafale)
• Température de fonctionnement : 0 °C à 70 °C
• Chocs : 1500 g, 0,5 m/s (semi-sinusoïdale)

Configuration requise

• PC avec interface PCI Express NVMe M.2
• Windows 10 ou plus récent

Incompatibilités

Non compatible Mac