Mémoire RAM PNY MN8GSD42666 8 GB DDR4 CL19 SODIMM PNY

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    oct. 2024
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    Espagne
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Les points forts
  • composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 8 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 8 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 2666 MHz, Latence CAS: 19

 

Caractéristiques
Informations générales Constructeur PNY
Référence MacWay MK00485722
Modèle MN8GSD42666
Norme mémoire DDR4
Latence CAS (CL) 19
Caractéristiques Principales Bande passante mémoire PC4-21300 (2666 MHz)
Capacité Capacité RAM 8 Go
Performances Fréquence mémoire 2666 MHz
Garanties Garantie Légale Voir les modalités
Informations détaillées
PNY MN8GSD42666.
composant pour: Ordinateur portable, Mémoire interne: 8 Go, Disposition de la mémoire (modules x dimensions): 1 x 8 Go, Type de mémoire interne: DDR4, Fréquence de la mémoire: 2666 MHz, Latence CAS: 19